公开/公告号CN103515393B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201310273190.X
申请日2013-06-25
分类号H01L27/11521(20170101);H01L29/423(20060101);H01L29/788(20060101);G11C16/04(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 意大利阿格拉布里安扎
入库时间 2022-08-23 10:10:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-20
授权
授权
2015-07-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20130625
实质审查的生效
2014-01-15
公开
公开
机译: 具有单多晶硅层存储单元的非易失性存储器件
机译: 单多晶硅非易失性存储器件,其制造方法以及单多晶硅非易失性存储器件阵列
机译: 单多晶硅非易失性存储器件,其制造方法以及单多晶硅非易失性存储器件阵列