三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法

摘要

包括非易失性随机存取存储器(NVRAM)阵列的逻辑芯片和其制造方法。该芯片包括各种器件，其栅在三层多晶硅中的一层或多层上。芯片逻辑使用普通FET，阵列支持包括高压FET。逻辑和支持都是CMOS。该芯片逻辑内的普通FET的栅由第三层或最高层多晶硅实现。第三层多晶硅同样用做高压FET和阵列字线的掩模，而两者都以第二层多晶硅为栅。第一层多晶硅只用做单元浮栅。