机译:通过Taguchi方法提高多晶硅基非易失性存储器件中富硅氧化物层的存储能力
Ton Duc Thang Univ Inst Computat Sci Div Computat Phys Ho Chi Minh City Vietnam|Ton Duc Thang Univ Fac Elect & Elect Engn Ho Chi Minh City Vietnam;
Duy Tan Univ Inst Res & Dev Da Nang 550000 Vietnam;
Sungkyunkwan Univ Coll Informat & Commun Engn Suwon 16419 South Korea;
Duy Tan Univ Inst Fundamental & Appl Sci FM&D Lab Ho Chi Minh City 700000 Vietnam;
taguchi method; ANOVA; poly-Si-based nonvolatile memory; SiOx storage layer;
机译:具有氧化物-硅-氧氮化物堆叠结构的多晶硅薄膜非易失性存储器件的高电荷存储
机译:以Al_2O_3层为存储节点的基于ZnO纳米线的非易失性存储设备
机译:以Al_2O_3层为存储节点的基于ZnO纳米线的非易失性存储设备
机译:基于二元过渡金属氧化物的逐层组装非易失性存储器件的制造
机译:通过VLSI CMOS和非易失性存储器件中的氮化技术提高了氧化物的可靠性。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:使用具有富含Si氮化物和氧 - 氮化物的金属氧化物 - 氮化物氧化物 - 氧化物和氧 - 氮化物作为堆叠电荷捕获层的电荷改善非挥发性辐射传感器