机译:以Al_2O_3层为存储节点的基于ZnO纳米线的非易失性存储设备
Al_2O_3; Charge Trapping; Nanowire; Field Effect Transistor; Memory Device;
机译:以Al_2O_3层为存储节点的基于ZnO纳米线的非易失性存储设备
机译:基于Al_2O_3隧穿和HfO_2阻挡层的非易失性存储电容器,在原子层沉积的Pt纳米晶体中具有电荷存储
机译:利用嵌入在Si_3N_4层中的ZnO纳米颗粒制造的非易失性存储器件的存储效应的增强
机译:非易失性存储器件中ZnO / SiO
机译:用于非易失性电荷存储存储设备的铂纳米粒子和高k电介质的原子层沉积。
机译:受控双极性电荷陷阱机制的非易失性多级数据存储存储设备
机译:基于未掺杂和HF和NAF掺杂的ZnO薄膜晶体管的非易失性存储器,其中AG纳米线插入ZnO和栅极绝缘体界面之间