退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
两步高温氘退火; SONOS; 存储器; 保持可靠性;
机译:高压氘退火以改善氧化硅-氮化物-氧化物-硅非易失性存储器件的可靠性
机译:鳍形隧道场效应晶体管SONOS非易失性存储器具有所有器件中的所有编程机制的高性能
机译:由于非易失性存储器操作下的栅极导通,SONOS晶体管中与极性相关的器件性能下降
机译:通过两步高温氘退火改善SONOS非易失性存储器件的保留可靠性
机译:通过VLSI CMOS和非易失性存储器件中的氮化技术提高了氧化物的可靠性。
机译:一步和两步退火方法在高温下制备的自扩散Sn扩散Fe2O3阳极的光电化学阻抗和光学数据
机译:用氮化siO(2)/ si(100)界面制备的sONOs非易失性存储器堆栈的循环耐久性;电子器件字母
机译:消除具有漏极开通现象和过度擦除现象的sonos单元具有sonos单元的非易失性存储器件及其处理非易失性存储器件sonos单元的方法
机译:氮化硅钨用作高温退火的阻挡层,以提高热载流子的可靠性
机译:用于提高CMOS兼容的非易失性存储器保持可靠性的系统和方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。