机译:高压氘退火以改善氧化硅-氮化物-氧化物-硅非易失性存储器件的可靠性
Department of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, 500-712, Korea;
机译:通过高压湿蒸汽退火改善MANOS型非易失性存储器件的存储性能
机译:高压氘氧化退火对金属-氧化铝-氮化物-氧化物-硅型闪存器件的阻挡效率和界面质量的影响
机译:Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜在不同温度下退火的电学特性,用于非易失性存储器件
机译:通过两步高温氘退火提高SONOS非易失性存储设备的保留可靠性
机译:通过VLSI CMOS和非易失性存储器件中的氮化技术提高了氧化物的可靠性。
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:通过NH3POST退火对ZRO2的电荷捕获非易失性存储器的改进的存储器特性
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。