机译:高压氘氧化退火对金属-氧化铝-氮化物-氧化物-硅型闪存器件的阻挡效率和界面质量的影响
机译:高压氧退火对金属-氧化铝-氮化物-氧化物-硅-型闪存器件电性能的影响
机译:Krf激光超短时间内退火对金属-氧化铝-氮化物-氧化物-硅型闪存器件的影响
机译:高压氘退火以改善氧化硅-氮化物-氧化物-硅非易失性存储器件的可靠性
机译:金属栅功函数和高k阻挡电介质的固定氧化物电荷对NAND型电荷陷阱闪存器件存储性能的影响
机译:浮栅闪存器件,使用高kappa材料作为多晶硅氧化物。
机译:低于200°C的低温溶液处理的可调闪存设备无隧道层和阻挡层
机译:形成气体退火对嵌入LaAlO3高k电介质中的Ge纳米晶体存储特性的影响
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395