采用ND3退火来提高SONOS闪存器件可靠性的方法

摘要

本发明公开了一种采用ND3退火来提高SONOS闪存器件可靠性的方法，包括如下步骤：第一步，制备隧穿氧化层；第二步，ND3退火；第三步，制备氮化硅陷阱层；第四步，制备高温热氧化层；第五步，制备栅电极。在ND3退火的过程中，隧穿氧化层和硅衬底界面处的悬挂键可以被硅-氘键饱和，同时不稳定的硅-氢键可以被硅-氘键取代，这样就大大提高了界面处的电学特性，进而可以提高SONOS闪存器件可靠性。