DFT方法研究掺杂氮化硅对SONOS器件保持性能的作用

摘要

可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法,改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型;根据第一性原理的密度泛函理论(DFT),对缺陷的簇模型结构优化并计算能量,得到缺陷俘获电荷过程的能量变化.发现缺陷俘获电子的能力比俘获空穴的能力好,电子释放过程应对温度敏感,而空穴释放过程主要由隧穿机理控制.预测与氧氮化硅一样,硫或磷掺杂氮化硅代替氮化硅作为SONOS器件的电荷储存层,可改善器件的保持性能.