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陈震; 郑英奎; 刘新宇; 和致经; 吴德馨;
中国科学院微电子研究所;
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT); 平面掺杂; 线性度;
机译:具有双通道的3.3 V电源单电压工作双平面掺杂AlGaAs / InGaAs PHEMT,用于1.6 GHz数字移动通信
机译:B2H6 / He细胞调节等离子掺杂技术,可对3D Fin器件进行共形掺杂,并精确控制超浅注入,用于平面器件制造
机译:B {sub} 2H {sub} 6 / He自调节等离子体掺杂技术,用于精确控制的超浅注入,以共形掺杂到3D鳍片器件和平面器件中
机译:在830nm处的光折叠离子注入的Fe掺杂的Fe掺杂的Fe掺杂的WKBO / sup 3 /平面波导中的双梁耦合
机译:用于纳米电子学的平面砷化镓纳米线阵列:受控的生长,掺杂,表征和器件。
机译:通过协同钌掺杂和纳米碳杂化工程化MoS2基平面以产生氢
机译:基于双三角掺杂异质结构的用于微波功率应用的PHEMT器件带有停止蚀刻层
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:半导体器件,包括薄层上延服务器,双极平面型掩埋掺杂层和具有区别的掩埋掺杂层。
机译:生产用于电子发射器件或涂层的细掺杂金刚石颗粒,例如用于平面屏幕,涉及使用具有碳和(添加的)掺杂剂的负氧平衡引爆炸药
机译:包括薄层外延服务器的半导体器件,双极平面型掩埋掺杂层垂直pnp,具有差分
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