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汪宁; 陈震; 郑英奎; 刘新宇; 和致经;
中国电子学会;
晶体管; 平面掺杂; 线性度; PHEMT器件;
机译:栅沉对InGaP / AlGaAs / InGaAs增强模式PHEMT器件性能的影响
机译:在不同温度下PHEMT Algaas / InGaAs / GaAs量子井的电子传输:单侧Delta-Si掺杂的影响
机译:基于静电纺聚苯胺纳米纤维的肖特基二极管:不同纤维直径和掺杂水平对器件性能的影响
机译:掺杂和隔离剂对块状平面无结器件性能的影响
机译:延伸横向掺杂突变对深亚微米器件性能的影响。
机译:原子力显微镜尖端诱导局部氧化法制备砷化镓的纳米结构:不同的掺杂类型和平面取向
机译:栅极下沉对InGap / alGaas / InGaas增强模式pHEmT器件性能的影响
机译:掺杂分布对BaRITT器件性能的影响。
机译:具有高掺杂沟道衬里和掺杂剂密封的MOSFET,可提供增强的器件性能
机译:超声诊断系统,用于对胎儿心脏的多个平面进行成像;实时对目标解剖结构的多个不同选择的图像平面进行超声成像的方法;实时超声成像胎儿心脏的多个不同选择像平面的方法和方法
机译:在单个基板上包括增强模式pHEMT设备,耗尽模式pHEMT设备和电源pHEMT设备的电子设备及其制造方法
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