公开/公告号CN208738256U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 新磊半导体科技(苏州)有限公司;
申请/专利号CN201820500122.0
发明设计人 蒋建;
申请日2018-04-10
分类号
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人沈波
地址 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
入库时间 2022-08-22 08:49:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-12
授权
授权
机译: 用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
机译: 在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译: Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法,以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片