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AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT分子束外延材料生长研究

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本文着重探讨了单δ<,Si>平面掺杂Al<,0.30>Ga<,0.70>As/Ga<,0.8>In<,0.2>As/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|35-37|共3页
会议地点贵阳
作者
陈昊; 商耀辉; 武一宾;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.41;TN304.23;
关键词
化合物半导体材料; 分子束外延生长; 生长工艺; GaAs基; 晶体管;
入库时间 2022-08-17 10:20:44

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