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宋珂; 曾一平;
山东工业大学电子工程系微电子技术教研室;
中国科学院半导体研究所;
分子束外延; 量子阱; 超晶格; 砷化镓; 外延生长;
机译:使用超晶格缓冲层通过分子束外延生长的高纯度AlGaAs
机译:GaAs缓冲外延层上分子束外延生长的(BeTe / ZnSe)超晶格的高分辨率X射线衍射(HRXRD)和透射电子显微镜(TEM)研究
机译:使用分子束外延在GaAs(100)上生长的AlGaAs缓冲层研究立方氮化镓的初始生长
机译:通过分子束外延在GaAs(100)上生长的AlgaAs缓冲层的立方GaN初始生长研究
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延
机译:用分子束外延生长在外延Coal层上的Gaas / alGaas量子阱
机译:在沟道层和AlGaAs缓冲层之间具有掺杂AlGaAs层的金属半导体FET
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:制造AlGaAs支撑基体的方法,制造外延晶片的方法,制造LED的方法,AlGaAs支撑基体,外延晶片和LED
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