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分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．

著录项

来源
《山东大学学报：工学版》 |1997年第3期|254-257|共4页
作者
张福厚; 陈江华; 宋珂;
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作者单位

山东工业大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;半导体激光器件;
关键词
分子束外延; 超晶格半导体; 量子阱材料;

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