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【2h】

Liquid phase epitaxial growth of high quality GaAs on InP using Se‐doped GaAs buffer layer and grating‐patterned substrates

机译：使用Se掺杂的GaAs缓冲层和光栅图案基板对INP高质量GaAs的液相外延生长

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Dong‐Keun Kim; Ju‐Heon Ahn; Byung‐Teak Lee; H. J. Lee; S. S. Cha; K. Y. Lim; J. B. Kim; J.‐L. Lee; S. J. Jang; I.‐S. Park;
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年度 1995
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