LDMOS及集成LDMOS器件

摘要

本实用新型公开了LDMOS及集成LDMOS器件。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本实用新型的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。