对选择栅极和部分替换栅极的栅电介质使用热氧化物

摘要

本发明涉及对选择栅极和部分替换栅极的栅电介质使用热氧化物。热生长的含氧介电层形成于NVM区域内的控制栅极上，高k栅极介电层和阻挡层形成于逻辑区域内。多晶硅层形成于所述热生长的含氧介电层和所述阻挡层上并且被平面化。第一掩模层形成于所述多晶硅层和控制栅极上并且限定了横向相邻于所述控制栅极的选择栅极位置。第二掩模层被形成以限定逻辑栅极位置。所述多晶硅层的暴露部分被移除使得第一部分保留在所述选择栅极位置处以及多晶硅层部分保留在所述逻辑栅极位置处。介电层形成于所述选择栅极、所述控制栅极、以及所述多晶硅层的周围。移除所述多晶硅层以在所述逻辑栅极位置处导致暴露了所述阻挡层的开口。