使用替换漏极选择栅极电极的三维存储器装置及其制造方法

摘要

一种形成三维存储器装置的方法包含：在衬底上方形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠；在所述交替堆叠上方的漏极选择层级中围绕存储器开口形成图案化模板结构；在所述图案化模板结构中的沟槽中形成漏极选择层级隔离结构；在延伸穿过所述交替堆叠的所述存储器开口中形成存储器堆叠结构，其中所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和竖直半导体通道；将所述牺牲材料层替换为字线；以及分开地，将所述图案化模板结构替换为漏极选择栅极电极。