掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09
International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09
召开年:
2009
召开地:
College Park, MD(US);College Park, MD(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
中国电子科学研究院学报
红外
信息通信技术
通信与信息网络学报(英文)
通信对抗
电信建设
光通信技术
世界宽带网络
世界电信
电视工程
更多>>
相关外文期刊
Australian Telecommunication Research
Industrial Informatics, IEEE Transactions on
Surface Mount Technology
CQ Amateur radio
Wissenschaftliches Institut fuer Kommunikationsdienste Diskussionsbeitraege
IEEE Journal of Quantum Electronics
Info
Camcorder & computer video
International journal of digitial television
The Computer Journal
更多>>
相关中文会议
2011年全国第八届全国精密工程学术研讨会
中国电子学会第十四届信息论学术年会暨2007年港澳内地信息论学术研讨会
2008年光纤激光技术学术交流会
2010全国LED显示应用技术交流暨产业发展研讨会
中国通信学会第五届学术年会
上海市红外与遥感学会第十八届学术年会
2009春季国际PCB技术/信息论坛
'2002声频工程学术会议
2004北京国际SMT技术交流会
第二届中国卫星导航与位置服务年会暨展览会
更多>>
相关外文会议
Synthesis and photonics of nanoscale materials XV
Laser applications in microelectronic and optoelectronic manufacturing (LAMOM) XVI
Symposium on Nanophase and Nanocomposite Materials III held November 29-December 2, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Proceedings vol.2004-15; Symposium on Thin Film Transistor Technologies(TFTT VII); 20041004-06; Honolulu,HI(US)
2016 IEEE International Conference on Ubiquitous Wireless Broadband
The 13th International congress for stereology
Haptic Audio visual Environments and Games, 2009. HAVE 2009
2013 3rd International workshop on image and data fusion
Microelectronic package and PCB technology
Antennas, radar, & wave propagation
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
共
300
条结果
1.
High-efficiency photovoltaic energy conversion using surface acoustic waves in piezoelectric semiconductors
机译:
使用压电半导体中的表面声波的高效光伏能量转换
作者:
Yakovenko Victor M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
2.
Improvement on programming and erasing speeds for charge-trapping flash memory device with SiGe buried channel
机译:
具有SiGe埋入沟道的电荷陷阱闪存器件的编程和擦除速度的提高
作者:
Liu Li-Jung
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Keng Wen-Chun
;
Wang Tien-Ko
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
3.
A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
机译:
弹道一维晶体管的通用紧凑型模型:应用于GNRFET和CNTFET
作者:
Fregonese Sebastien
;
Maneux Cristell
;
Zimmer Thomas
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
4.
Low energy electronics: DARPA portfolio overview
机译:
低能耗电子产品:DARPA产品组合概述
作者:
Fritze Michael
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
5.
Characterization of traps in scaled NMOS transistors with ultra-thin high-K dielectrics and metal gate electrodes
机译:
具有超薄高K电介质和金属栅电极的定标NMOS晶体管中陷阱的表征
作者:
Zhang Xiaochen
;
Zhang Yanli
;
White Marvin H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
6.
Modeling the small signal characteristics of an ALD Al
2
O
3
insulated-gate AlN/GaN high electron mobility transistor
机译:
模拟ALD Al
2 inf> O
3 inf>绝缘栅AlN / GaN高电子迁移率晶体管的小信号特性
作者:
Deen David A.
;
Champlain James G.
;
Storm David F.
;
Meyer David J.
;
Binari Steven C.
;
Eddy Charles R.
;
Bass Robert
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
7.
Laser-crystallized polysilicon TFT adder cells on flexible metal foil
机译:
柔性金属箔上的激光晶化多晶硅TFT加法器单元
作者:
Jamshidi-Roudbari Abbas
;
Kuo Po-Chin
;
Hatalis Miltiadis
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
8.
Effects of non-uniformly doped substrate on gate C-V characteristics of MOS devices with ultrathin (~ 1nm) gate dielectrics: A QM study
机译:
QM研究:非均匀掺杂衬底对具有超薄(〜1nm)栅极电介质的MOS器件的栅极C-V特性的影响
作者:
Siddiqui Mahmudur R.
;
Sarwar A. T. M. Golam
;
Siddique Radwanul H.
;
Khosru Quazi D. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
9.
Controlled growth, patterning and placement of carbon nanotube thin films
机译:
碳纳米管薄膜的受控生长,构图和放置
作者:
Sangwan V. K.
;
Ballarotto V. W.
;
Hines D. R.
;
Fuhrer M. S.
;
Williams E. D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
10.
3300 V, 30 A 4H-SiC power DMOSFETs
机译:
3300 V,30 A 4H-SiC功率DMOSFET
作者:
Cheng Lin
;
Ryu Sei-Hyung
;
Jonas Charlotte
;
Dhar Sarit
;
Callanan Robert
;
Richmond Jim
;
Agarwal Anant K.
;
Palmour John
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
11.
Si implant-assisted ohmic contacts to GaN
机译:
Si注入辅助的GaN欧姆接触
作者:
Nguyen Cuong
;
Shah Pankaj
;
Leong Edward
;
Derenge Michael
;
Jones Kenneth
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
12.
Comparison of bipolar bias-temperature instability on MOSFETs with HfO
2
/LaO
x
and HfO
2
/AlO
x
dielectric stacks
机译:
HfO
2 inf> / LaO
x inf>和HfO
2 inf> / AlO
x inf>电介质的MOSFET双极性偏置温度不稳定性的比较栈
作者:
Lu Chun-Chang
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Tsao Che-Hao
;
Wang Tien-Ko
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
13.
A bio-inspired single-electron circuit exploiting noises to achieve high temporal fidelity based on the vestibulo-ocular reflex function
机译:
生物启发的单电子电路,基于前庭眼反射功能,利用噪声实现高时间保真度
作者:
Kikombo Andrew Kilinga
;
Asai Tetsuya
;
Amemiya Yoshihito
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
14.
The experiments of device implant process on threshold mismatch for advanced CMOS technology
机译:
先进CMOS技术在阈值不匹配下的器件注入工艺实验
作者:
Wang S. M.
;
Chang S. J.
;
Hu C. Y.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
15.
What triggers NBTI? An “on the fly” electron spin resonance approach
机译:
是什么触发了NBTI? “动态”电子自旋共振方法
作者:
Ryan J. T.
;
Lenahan P. M.
;
Grasser T.
;
Enichlmair H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
16.
Novel ZnO Bio-imaging system
机译:
新型ZnO生物成像系统
作者:
Urban Benny Ewell
;
Fujita Yasuhisa
;
Neogi Arup
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
17.
Investigation of SILC via energy resolved spin dependent tunneling spectroscopy
机译:
通过能量分辨自旋相关隧穿光谱法研究SILC
作者:
Ryan J. T.
;
Lenahan P. M.
;
Krishnan A.
;
Krishnan S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
18.
A high performance MOSFET on selective buried oxide with improved short channel effects
机译:
在选择性掩埋氧化物上具有改进的短沟道效应的高性能MOSFET
作者:
Qureshi S.
;
Loan Sajad A.
;
Iyer S. S. K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
19.
Improvement of static noise margin in SRAM by post-fabrication self-convergence technique
机译:
通过制造后自收敛技术改善SRAM中的静态噪声容限
作者:
Suzuki Makoto
;
Saraya Takuya
;
Shimizu Ken
;
Sakurai Takayasu
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
20.
A deterministic approach to the spatial origin of semiconductor device current noise for semiclassical transport
机译:
半经典传输的半导体器件电流噪声的空间起源的确定性方法
作者:
Noaman B. A
;
Korman C. E
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
21.
Bias temperature instability in silicon carbide
机译:
碳化硅中的偏置温度不稳定性
作者:
Schroder Dieter K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
22.
Carrier type conversion in carbon nanotube field-effect transistors caused by interface fixed charges
机译:
界面固定电荷在碳纳米管场效应晶体管中的载流子类型转换
作者:
Ohno Y.
;
Moriyama N.
;
Kitamura T.
;
Suzuki K.
;
Kishimoto S.
;
Mizutani T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
23.
GHz devices from epitaxial graphene on SiC
机译:
SiC外延石墨烯的GHz器件
作者:
Gaskilla D.K.
;
Moon J.
;
Tedesco J.L.
;
Robinson J.A.
;
Friedman A.L.
;
Campbell P.M.
;
Jernigan G.G.
;
Hite J.
;
Myers-Ward R.L.
;
Eddy C.R.
;
Fanton M.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
24.
Modeling of floating gate AlGaN/GaN heterostructure-transistor based sensor
机译:
基于浮栅AlGaN / GaN异质结构晶体管的传感器建模
作者:
Eliza Sazia A.
;
Islam Syed K.
;
Lee Ida
;
Greenbaum Elias
;
Tulip Fahmida Shaheen
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
25.
Study of ultra-scaled SiGe/Si core/shell nanowire FETs for CMOS applications
机译:
用于CMOS应用的超大规模SiGe / Si核/壳纳米线FET的研究
作者:
Paul Abhijeet
;
Mehrotra Saumitra
;
Luisier Mathieu
;
Klimeck Gerhard
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
26.
High photovoltaic performance of ladder-type oligo-p-phenylene containing copolymers with high open-circuit voltages
机译:
开路电压高的含梯型低聚对亚苯基共聚物的高光伏性能
作者:
Zheng Qingdong
;
Jung Byung J.
;
Sun Jia
;
Katz Howard E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
27.
Quaternary AlInGaN photodetectors with MIS structure
机译:
具有MIS结构的四元AlInGaN光电探测器
作者:
Hung H.
;
Chang S. J.
;
Young S. J.
;
Lin Y. C.
;
Wang S. M.
;
Chen C. H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
28.
Effect of high pressure hydrogen annealing on silicon nanowire MOSFET devices with multi-channel wires
机译:
高压氢退火对多沟道硅纳米线MOSFET器件的影响
作者:
Kim Seonghyun
;
Jo Minseok
;
Jung Seungjae
;
Choi Hyejung
;
Lee Joonmyoung
;
Chang Man
;
Cho Chunhum
;
Hwang Hyunsang
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
29.
Plasma doping and spike annealing technique for steep SDE formation in nano-scale MOSFET
机译:
等离子体掺杂和尖峰退火技术用于纳米级MOSFET中陡峭SDE的形成
作者:
Miyata T.
;
Oshima Y.
;
Hokazono A.
;
Adachi K.
;
Miyano K.
;
Tsujii H.
;
Kawanaka S.
;
Inaba S.
;
Itani T.
;
Iinuma T.
;
Toyoshima Y.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
30.
A high performance lateral bipolar junction transistor on selective buried oxide
机译:
选择性掩埋氧化物上的高性能横向双极结型晶体管
作者:
Loan Sajad A.
;
Qureshi S.
;
Iyer S. S. K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
31.
Effect of current injection efficiency on efficiency-droop in InGaN quantum well light-emitting diodes
机译:
注入电流对InGaN量子阱发光二极管效率下降的影响
作者:
Zhao Hongping
;
Liu Guangyu
;
Arif Ronald A.
;
Tansu Nelson
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
32.
InGaN/GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with hafnium oxide cap layer
机译:
具有氧化cap盖层的InGaN / GaN金属-半导体-金属光电探测器
作者:
Wang S. M.
;
Chen T. P.
;
Chang S. J.
;
Chang P. C.
;
Young S. J.
;
Hung H.
;
Lin M. H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
33.
Ballistic mobility degradation in scaled-down channel of a MOSFET
机译:
MOSFET缩小通道中的弹道迁移率下降
作者:
Riyadi Munawar
;
Pollard Christopher
;
Arora Vijay K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
34.
Fabrication of a thin film asymmetric tunneling diode using geometric field enhancement
机译:
利用几何场增强法制造薄膜非对称隧穿二极管
作者:
Choi Kwangsik
;
Dagenais Mario
;
Peckerar Martin M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
35.
Investigation of strain relaxation in patterned strained silicon-on-insulator structures by Raman spectroscopy and computer simulation
机译:
用拉曼光谱和计算机模拟研究带图案的应变绝缘体上硅结构中的应变弛豫
作者:
Gu D.
;
Naumann F.
;
Petzold M.
;
Zhu M.
;
Baumgart H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
36.
Simulation study for suppressing corner effect in a saddle MOSFET for Sub-50 nm high density high performance DRAM cell transistor
机译:
低于50 nm的高性能DRAM晶体管的鞍形MOSFET抑制拐角效应的仿真研究
作者:
Pervez Syed Atif
;
Kim Heesang
;
Park Byung-Gook
;
Shin Hyungcheol
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
37.
Horizontally grown ZnO nanowires and their application in addressable arrays of one-dimensional p-n heterojunctions
机译:
水平生长的ZnO纳米线及其在一维p-n异质结可寻址阵列中的应用
作者:
Nikoobakht Babak
;
Herzing Andrew
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
38.
Characteristic of (11-22) GaN on (10-10) m-plane sapphire substrate with a CrN interlayer by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在具有CrN夹层的(10-10)m面蓝宝石衬底上的(11-22)GaN的特性
作者:
Liu Kuang-Wei
;
Hsueh Tao-Hung
;
Shoou-Jinn Chang
;
Young Sheng-Joue
;
Hung Hung
;
Mai Yu-Chun
;
Chen Shi-Xiang
;
Chen Yue-Zhang.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
39.
Mobility measurements in Gd silicate/TiN SOI and sSOI n-MOSFETs
机译:
Gd硅酸盐/ TiN SOI和sSOI n-MOSFET的迁移率测量
作者:
Schmidt M.
;
Gottlob H. D.B.
;
Buca D.
;
Mantl S.
;
Kurz H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
40.
Surface-potential-based compact model of dynamically depleted SOI MOSFETs
机译:
动态耗尽SOI MOSFET的基于表面电势的紧凑模型
作者:
Yao W
;
Wu W.
;
Gildenblat G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
41.
Structure and defects in multilayer CVD graphene on C-face 6H-SiC
机译:
C面6H-SiC上多层CVD石墨烯的结构和缺陷
作者:
Twigg Mark E.
;
Picard Yoosuf N.
;
Tedesco Joseph L.
;
Myers-Ward Rachel L.
;
VanMil Brenda L.
;
Eddy Charles R.
;
Gaskill D. Kurt
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
42.
High-temperature modeling of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT的高温建模
作者:
Vitanov Stanislav
;
Palankovski Vassil
;
Maroldt Stephan
;
Quay Rudiger
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
43.
On the temporal behavior of dc and rf characteristics of InAs nanowire MISFET
机译:
InAs纳米线MISFET的直流和射频特性的时间行为
作者:
Otsuhata Yutaka
;
Waho Takao
;
Blekker Kai
;
Prost Werner
;
Tegude Franz-Josef
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
44.
Spectrum analysis of electroluminescence from MOS capacitors with Si-implanted SiO
2
机译:
硅注入SiO
2 inf>的MOS电容器的电致发光光谱分析
作者:
Matsuda T.
;
Nohara S.
;
Hase S.
;
Iwata H.
;
Ohzone T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
45.
Retention test and electrical stress correlation to anticipate EEPROM tunnel oxide reliability issues
机译:
保留测试和电应力相关性,以预测EEPROM隧道氧化物的可靠性问题
作者:
Plantier J.
;
Aziza H.
;
Portal J. M.
;
Reliaud C.
;
Regnier A.
;
Ogier J. L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
46.
A new hopping model for transport in chalcogenide glasses
机译:
硫属化物玻璃运输的新跳跃模型
作者:
Rudan Massimo
;
Giovanardi Fabio
;
Piccinini Enrico
;
Buscemr Fabrizio
;
Brunetti Rossella
;
Jacoboni Carlo
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
47.
A design methodology for maximizing the voltage gain of strained Si MOSFETs using the thickness of the silicon-germanium strain relaxed buffer as a design parameter
机译:
使用硅锗应变松弛缓冲器的厚度作为设计参数来最大化应变Si MOSFET的电压增益的设计方法
作者:
Alatise Olayiwola
;
Kwa Kelvin
;
Olsen Sarah
;
ONeill Anthony
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
48.
Investigation of the device design challenges and optimization issues associated with complementary SiGe HBT scaling
机译:
调查与互补SiGe HBT缩放相关的器件设计挑战和优化问题
作者:
Chakraborty Partha S.
;
Moen Kurt
;
Bellini Marco
;
Cressler John D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
49.
Low field mobility in AlGaN/InGaN MOS-HFETs from cold-FET measurements
机译:
冷FET测量显示AlGaN / InGaN MOS-HFET中的场迁移率低
作者:
Dandu K.
;
Morgensen M.
;
Saripalli Y.
;
Barlage D.W.
;
Johnson M.A.L.
;
Braddock D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
50.
Electronic and mechanical systems printed onto flexible substrates
机译:
印刷在柔性基板上的电子和机械系统
作者:
Hines D. R.
;
Huang J.
;
Williams E. D.
;
Siwak Nathan
;
Ghodssi Reza
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
51.
Quantifying and enforcing two-dimensional symmetries in scanning probe microscopy images of periodic objects
机译:
量化和加强周期性物体的扫描探针显微镜图像中的二维对称性
作者:
Moeck P.
;
Plachinda P.
;
Moon B.
;
Straton J.
;
Rouvimov S.
;
Toader M.
;
Abdel-Hafiez M.
;
Hietschold M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
52.
Characterization of 1/f noise in scaled high-K NMOS transistors and SONOS nonvolatile semiconductor memory (NVSM) devices
机译:
缩放的高K NMOS晶体管和SONOS非易失性半导体存储器(NVSM)器件中1 / f噪声的特性
作者:
Zhang Xiaochen
;
Liyanage Luckshitha S.
;
Eichenlaub Nathan
;
White Marvin H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
53.
Miniaturized homo-polar rotating liquid device on Si substrates
机译:
硅衬底上的小型同极性旋转液体装置
作者:
Sanaee Z.
;
Mohajerzadeh S.
;
Miladi H.
;
Araghchini M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
54.
Two-dimensional model for the potential profile in a short channel Schottky barrier DG-FET
机译:
短沟道肖特基势垒DG-FET中势能分布的二维模型
作者:
Schwarz Mike
;
Weidemann Michaela
;
Kloes Alexander
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
55.
Design and yields of 1200-V recessed-implanted-gate SiC vertical-channel JFETs for power switching applications
机译:
用于电源开关应用的1200V嵌入式栅极SiC垂直沟道JFET的设计和良率
作者:
Veliadis V.
;
Ha H. C.
;
Hearne H.
;
Howell R.
;
Van Campen S.
;
Urciuoli D.
;
Lelis A.
;
Scozzie C.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
56.
A vertically aligned carbon nanofiber (VACNF) based amperometric glucose sensor
机译:
基于垂直排列的碳纳米纤维(VACNF)的电流型葡萄糖传感器
作者:
Islam Ashraf B.
;
Islam Syed K.
;
Rahman Touhidur
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
57.
Nano-CMOS circuit design and performance evaluation by inclusion of ballistic transport processes
机译:
包含弹道传输过程的纳米CMOS电路设计和性能评估
作者:
Chek Desmond C. Y.
;
Tan Michael L. P.
;
Arora Vijay K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
58.
Subband parameters in strained (110) silicon films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model of the conduction band
机译:
导带的Hensel-Hasegawa-Nakayama模型中的应变(110)硅膜中的子带参数
作者:
Sverdlov Viktor
;
Baumgartner Oskar
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
59.
Anisotropic drift diffusion model for 4H-, 6H-SiC devices simulation
机译:
用于4H-,6H-SiC器件仿真的各向异性漂移扩散模型
作者:
Donnarumma Gesualdo
;
Wozny Janusz
;
Lisik Zbigniew
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
60.
Low leakage current technology in P+N silicon photodiode detector
机译:
P + N硅光电二极管检测器中的低泄漏电流技术
作者:
Park Myunghwan
;
Choi Kwangsik
;
Singh Satpal
;
Aslam Shahid
;
Peckerar Martin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
61.
Atomic force microscopy of DNA self-assembled nanostructures for device applications
机译:
用于设备应用的DNA自组装纳米结构的原子力显微镜
作者:
Bui Hieu
;
Onodera Craig
;
Yurke Bernard
;
Graugnard Elton
;
Kuang Wan
;
Lee Jeunghoon
;
Knowlton William B.
;
Hughes William L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
62.
Synthesis and assembly of ZnO nanorods grown by ALD for biosensor application
机译:
ALD法生长的ZnO纳米棒的合成与组装
作者:
Bajpai R.
;
Zaghloul M.
;
Gu D.
;
Baumgart H.
;
Abdel-Fattah T. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
63.
Reliable procedure for electrical characterization of MOS-based devices
机译:
基于MOS的器件的电气表征的可靠程序
作者:
Dobes J.
;
Panko V.
;
Pospisil L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
64.
Analytical model of source injection for N-type enhancement mode GaN-based Schottky source/drain MOSFET
机译:
N型增强型GaN基肖特基源极/漏极MOSFET的源极注入分析模型
作者:
Park Jaehoon
;
Ozbek Ayse M.
;
Ma Lei
;
Veety Matthew T.
;
Morgensen Michael P.
;
Barlage Douglas W.
;
Wheeler Virginia D.
;
Johnson Mark A L
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
65.
Mapping grain orientation of high mobility thienothiophene copolymer thin films by transmission electron microscopy and image analysis
机译:
高迁移率噻吩并噻吩共聚物薄膜的透射电子显微镜和图像分析绘制晶粒取向
作者:
Zhang Xinran
;
Hudson Steven D.
;
DeLongchamp Dean M.
;
Gundlach David J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
66.
Investigation of the drain current shift in ZnO thin film transistors
机译:
ZnO薄膜晶体管的漏极电流漂移研究
作者:
Abdel-Motaleb Ibrahim M.
;
Shetty Neeraj
;
Leedy Kevin
;
Cortez Rebecca
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
67.
Fermi level depinning of Ge Schottky contacts using single crystalline MgO
机译:
使用单晶MgO的Ge肖特基接触的费米能级脱钉
作者:
Zhou Yi
;
Han Wei
;
Wang Yong
;
Xiu Faxian
;
Zou Jin
;
Kawakami R. K.
;
Wang K. L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
68.
Three-color photodetector based on quantum dots and resonant-tunneling diodes coupled with conductive polymers
机译:
基于量子点和共振隧道二极管与导电聚合物耦合的三色光电探测器
作者:
Liao Sicheng
;
Sun Ke
;
Dutta Mitra
;
Stroscio Michael A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
69.
Optimization of power AlGaN/GaN vertical HEMT devices with low on-state resistance and high breakdown voltage
机译:
低导通电阻和高击穿电压的功率AlGaN / GaN垂直HEMT器件的优化
作者:
Andrei Petru
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
70.
Plasma transport in graphene conduction channels and application for the detection of Terahertz signals
机译:
石墨烯传导通道中的等离子体传输及其在太赫兹信号检测中的应用
作者:
Rudin Sergey
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
71.
Cryogenic matching performance of 90 nm MOSFETs
机译:
90 nm MOSFET的低温匹配性能
作者:
Appaswamy Aravind
;
Chakraborty Partha
;
Cressler John D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
72.
Wet chemistry based copper oxide and zinc oxide nanowire photovoltaic cells
机译:
湿化学基氧化铜和氧化锌纳米线光伏电池
作者:
MacNaughton Samuel
;
DeMeo Dante F.
;
Sonkusale Sameer
;
Vandervelde Thomas E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
73.
Gate leakage effects of annealing Lanthanum Oxide on Gallium Nitride
机译:
氧化镧退火对氮化镓的栅泄漏效应
作者:
Veety M. T.
;
Wheeler V. D.
;
Lichtenwalner D. J.
;
Johnson M. A. L.
;
Barlage D. W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
74.
Gate current tunneling modulated by magnetic field in 65nm nMOSFET's
机译:
65nm nMOSFET的磁场调制栅极电流隧穿
作者:
Gutierrez-D Edmundo A.
;
Guarin Fernando
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
75.
Effects of fin width on memory windows in FinFET ZRAMs
机译:
鳍片宽度对FinFET ZRAM中存储窗口的影响
作者:
Zhang E. X.
;
Fleetwood D. M.
;
Mamouni F. E.
;
Alles M. L.
;
Schrimpf R. D.
;
Xiong W.
;
Cristoloveanu S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
76.
Investigation of vertical scaling on breakdown voltage and presentation of analytical model for electric field distribution in SOI RESURF LDMOSFETs
机译:
SOI RESURF LDMOSFET的击穿电压垂直定标研究和电场分布解析模型的表示
作者:
Sharbati Samaneh
;
Fathipour Morteza
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
77.
Analysis and modeling of the pinch-off point in a lightly doped asymmetrically biased double gate MOSFET
机译:
轻掺杂非对称偏置双栅极MOSFET夹断点的分析和建模
作者:
Weidemann Michaela
;
Schwarz Mike
;
Kloes Alexander
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
78.
Scaling of the SOI field effect diode (FED) for memory application
机译:
SOI场效应二极管(FED)的缩放比例,用于存储器应用
作者:
Yang Yang
;
Gangopadhyay Aveek
;
Li Qiliang
;
Ioannou Dimitris E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
79.
Nitridation of the 4H-SiC/Oxide interface via NO anneal and plasma injection
机译:
通过NO退火和等离子体注入对4H-SiC /氧化物界面进行氮化
作者:
Zhu Xingguang
;
Lee Hang Dong
;
Feng Tian
;
Rozen John
;
Ahyi Ayayi C.
;
Chen Zengjun
;
Li Minyu
;
Issac-Smith Tamara
;
Williams John. R.
;
Gustafsson Torgny
;
Feldman L. C.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
80.
Electrical characterization and gate stack optimization of nitride trapping NVSM devices
机译:
氮化物捕获NVSM器件的电气特性和栅叠层优化
作者:
Eichenlaub Nathan
;
Barthol Christopher
;
Liyanage Luckshitha
;
Wang Gan
;
White Marvin H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
81.
Design, implementation, and measurement of planar microstrip antenna sub-array
机译:
平面微带天线子阵列的设计,实现和测量
作者:
Badr K.H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
82.
Atomistic simulations for SiGe pMOS devices — Bandstructure to transport
机译:
SiGe pMOS器件的原子模拟—传输的能带结构
作者:
Mehrotra Saumitra R
;
Paul Abhijeet
;
Luisier Mathieu
;
Klimeck Gerhard
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
83.
Advanced in Gallium Nitride materials and structures for power electronics
机译:
先进的氮化镓材料和用于电力电子的结构
作者:
Johnson Mark A.L.
;
Barlage Doug W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
84.
Overview of FDSOI technology from substrate to device
机译:
从衬底到设备的FDSOI技术概述
作者:
Nguyen Bich-Yen
;
Mazure Carlos
;
Delprat Daniel
;
Aulnette Cecile
;
Daval Nicolas
;
Andrieu Francois
;
Faynot Olivier
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
85.
2D compact modeling of the threshold voltage in triple- and Pi-gate transistors
机译:
三栅极和Pi栅极晶体管的阈值电压的2D紧凑建模
作者:
Ritzenthaler R.
;
Lime F.
;
Faynot O.
;
Cristoloveanu S.
;
Iniguez B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
86.
Fabrication technique for arrays of Germanium-on-Nothing nanowires
机译:
虚无锗纳米线阵列的制备技术
作者:
Thomas P. M.
;
Pawlik D. J.
;
Romanczyk B.
;
Freeman E.
;
Rommel S. L.
;
Kurinec S. K.
;
Cheng Z.
;
Li J.
;
Park J. S.
;
Hydrick J. M.
;
Fiorenza J. G.
;
Lochtefeld A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
87.
From micro to nano FinFETs: The impact of channel-shape on analog parameters
机译:
从微米到纳米FinFET:通道形状对模拟参数的影响
作者:
Buhler R. T.
;
Giacomini R.
;
Pavanello M. A.
;
Martino J. A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
88.
Committee
机译:
委员会
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
89.
Investigation of growth parameter influence on hydrothermally grown ZnO nanowires using a research grade microwave
机译:
研究级微波研究生长参数对水热生长ZnO纳米线的影响
作者:
Mason A. D.
;
Roberts T. F.
;
Conley J. F.
;
Price D. T.
;
Allman D. D. J.
;
McGuire M. S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
90.
Leakage current characteristics by ion-bombardment physical damage during pulse-time modulated plasma process
机译:
脉冲时间调制等离子体过程中离子轰击物理损伤引起的泄漏电流特性
作者:
Choi Sei-Ryung
;
Kim Dong-Hwan
;
Kim Beom-Jun
;
Song Joon-Tae
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
91.
Crystal quality and conductivity type of epitaxial (002) ZnO films on (100) Si substrates for device applications
机译:
(100)硅衬底上用于器件应用的(002)ZnO薄膜的晶体质量和导电类型
作者:
Sardari Saeed Esmaili
;
Iliadis Agis. A.
;
Stamataki M.
;
Tsamakis D.
;
Konofaos N.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
92.
Fatigue behavior and effect of crack propagation in lead free solder in microelectronic packaging
机译:
微电子封装中无铅焊料的疲劳行为和裂纹扩展效应
作者:
Paradee Gary
;
Christou Aris
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
93.
Pronounced quantum hall-effect on epitaxial graphene up to 70K
机译:
在高达70K的外延石墨烯上具有明显的量子霍尔效应
作者:
Shen Tian
;
Neal Adam T.
;
Gu Jiangjiang
;
Xu Min
;
Wu Yanqing
;
Bolen Mike
;
Capano Michael A.
;
Engel Lloyd
;
Ye Peide D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
94.
Source/drain design for 16 nm surrounding gate MOSFETs
机译:
用于16 nm周围栅MOSFET的源/漏设计
作者:
Lim Towoo
;
Jang Junyong
;
Kim Youngmin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
95.
A novel 3-input AND/OR gate in Quantum-Dot Cellular Automata with single clock zone and minimum area
机译:
具有单个时钟区和最小面积的量子点元胞自动机中的新型3输入与/或门
作者:
Bashiri Fereshteh Sadat
;
Tavassoli Hesam
;
Faez Rahim
;
Shooraki Saeed Bagheri
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
96.
Effect of random surface charge distribution on transport in 4H-SiC MOSFETs
机译:
表面随机电荷分布对4H-SiC MOSFET输运的影响
作者:
Potbhare Siddharth
;
Goldsman Neil
;
Akturk Akin
;
Lelis Aivars
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
97.
Si nanowire MOSFET with gate-all-around electrode
机译:
具有环绕栅电极的Si纳米线MOSFET
作者:
Ndoye C.
;
Liu T.
;
Meeham K.
;
Orlowski M.
;
Gu D.
;
Tran N.H.
;
Baumgart H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
98.
A nano-scale molecular rotor device for high density memory application
机译:
用于高密度存储应用的纳米级分子转子装置
作者:
Xue Mei
;
Kabehie Sanaz
;
Stieg Adam
;
Tkatchouk Ekaterina
;
Benitez Diego
;
Goddard William
;
Zink Jeffrey I.
;
Wang K. L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
99.
Nanoscale depth-resolved electronic properties of SiO
2
/SiO
x
/SiO
2
gate dielectrics for radiation-tolerant electronics
机译:
耐辐射电子材料SiO
2 inf> / SiO
x inf> / SiO
2 inf>栅极电介质的纳米深度深度电子性质
作者:
Katz E. J.
;
Zhang Z.
;
Hughes H. L.
;
Chung K.-B.
;
Lucovsky G.
;
Brillson L. J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
100.
Implementation of e-beam proximity effect correction using linear programming techniques for the fabrication of asymmetric bow-tie antennas
机译:
使用线性编程技术实施电子束邻近效应校正,以制造不对称领结天线
作者:
Yesilkoy Filiz
;
Peckerar Martin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
上一页
1
2
3
下一页
意见反馈
回到顶部
回到首页