摘要:本文建立了金属氧化物压敏电阻(Metal Oxygen Varistor,MOV)的电路仿真模型,研究不同源阻抗的8/20μs冲击电流对MOV冲击残压测量的影响规律,对相同预期短路电流10kA、20kA、30kA条件下的冲击残压进行了仿真研究,并结合Haefely psurger30.2和ICGS两种源阻抗电源测试的数据分析,得出:①同一预期短路电流下,冲击电流回路的源阻抗越大,测得的MOV的冲击残压越大;对于通流容量小的试品,当源阻抗Rs<1Ω时,冲击残压随源阻抗的增加呈现急剧增加。因此,在对不同试品进行冲击残压标定和性能比对时,建议选用源阻抗较大(如1Ω)以及源阻抗相同的冲击电流源。②不同预期短路电流下测试同一试品时,不同源阻抗冲击电流下测试的冲击残压差基本一致。