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孙丹峰; 季幼章;
中国电子学会;
共沉淀技术; ZnO压敏电阻; 数学模型;
机译:化学共沉淀法制备的低压ZnO压敏电阻的降解特性
机译:共沉淀法制备Ni掺杂ZnO与沸石负载Ni掺杂ZnO的光催化活性比较研究
机译:通过两步掺杂工艺制备的Al掺杂ZnO压敏电阻
机译:ZnO-Bi 2 ING> O 3 INF>基于掺杂剂的高能球磨制备的压敏电阻陶瓷
机译:二维电子气(2DEG)生长的Zn-极性BeMgZnO / ZnO异质结构和BeMgZnO / ZnO异质结构上银肖特基二极管的制备
机译:Al掺杂ZnO籽晶层上具有ZnO纳米棒抗反射涂层的硅线太阳能电池的制备与表征
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:掺杂ZnO粉末在高场压敏电阻中的烧结行为
机译:ZnO ZnO基压敏电阻的组成以及制造该压敏电阻的方法和使用该压敏电阻的压敏电阻
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