-Bi<'3+>-Sb<'3+>-Co<'2+>-Mn<'2+>-Cr<'3+>-NH<,3>-CO<,3><'2->-H<,2>O溶液体系进行热力学计算,绘制出溶液中各金属离子浓度与pH值的lg[Me]<,T>-pH关系图,得到共沉淀的pH值范围,为化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合粉料提供理论'/>
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陈培荣; 季幼章; 冯士芬;
中国电子学会;
化学共沉淀; 压敏电阻; 复合粉料; 热力学;
机译:化学共沉淀法制备的低压ZnO压敏电阻的降解特性
机译:用原位化学共沉淀法制备和鉴定半乳甘露聚糖/ ZnO的生态辅助纳米复合材料
机译:可见光辅助通过化学共沉淀法制备的ZnO / NiO纳米复合材料的增强的光催化性能
机译:电泳沉积制备的SnO_2.ZnO.Nb_2O_5-薄膜压敏电阻中Cr〜(3+)扩散对晶界电性能的影响
机译:BaTiO3-环氧-ZnO基多功能复合材料:ZnO纳米颗粒与复合材料微结构的相互作用导致电子传输性能的变化
机译:原子层沉积制备的光催化气敏碳纳米管/ TiO2-ZnO和ZnO-TiO2复合材料
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:重新开始制造用于铁电中子发生器电源的ZnO压敏电阻的化学制备工艺。
机译:制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO
机译:ZnO ZnO基压敏电阻的组成以及制造该压敏电阻的方法和使用该压敏电阻的压敏电阻
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