机译:测量4H-SiC MOS电容器和MOSFET中有源近界面氧化物陷阱的瞬态电流方法
Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Brisbane, QLD, Australia;
4H-SiC MOS capacitor; 4H-SiC MOSFET; NIOTs; active near-interface oxide traps (NIOTs); transient current; transient current.;
机译:通过在4H-SiC n沟道MOSFET上进行电测量来验证近界面陷阱模型
机译:在4H-SiC MOS电容器的强累积区域中活跃的能量局部近界面陷阱
机译:l / f噪声测量在ULSI n-MOSFETs的近界面氧化物陷阱表征中的应用
机译:通过瞬态电容测量定量表征4H-SiC MOS电容器中近界面氧化物陷阱
机译:用于集成电路设计的4H-SiC低压MOSFET的建模和验证。
机译:使用MOSFET检测器的质子剂量分布测量以及用于LET效应的简单剂量加权校正方法
机译:直接测量4H-SiC MOS电容器强累积区域中的有源近接口陷阱