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Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13
Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13
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1.
Optimized Novel Indium Antimonide Quantum Well Field Effect Transistor for High-Speed and Low Power Logic Applications
机译:
优化的新型锑化铟量子阱场效应晶体管,用于高速和低功耗逻辑应用
作者:
R. Islam
;
M. M. Uddin
;
M. A. Matin
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
2.
HfO_2/Al_2O_3/InGaAs MOSCAP Structures and InGaAs Plasma Nitridation Elaborated in a 300mm Pilot Line
机译:
HfO_2 / Al_2O_3 / InGaAs MOSCAP结构和300mm试生产线中的InGaAs等离子体氮化
作者:
M. Billaud
;
J. Duvernay
;
H. Grampeix
;
B. Pelissier
;
M. Martin
;
S. David
;
C. Vallee
;
Z. Chalupa
;
H. Boutry
;
T. Baron
;
M. Casse
;
T. Ernst
;
M. Vinet
;
G. Reimbold
;
O. Faynot
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
3.
MOS Interface Control Technologies for Advanced Ⅲ-Ⅴ/ Ge Devices
机译:
先进的Ⅲ-Ⅴ/ Ge器件的MOS接口控制技术
作者:
S. Takagi
;
C. Y. Chang
;
M. Yokoyama
;
K. Nishi
;
R. Zhang
;
M. Ke
;
J. H. Han
;
M. Takenaka
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
4.
Surface Passivation of High-k Dielectric Materials on Diamond Thin Films
机译:
金刚石薄膜上高k电介质材料的表面钝化
作者:
K.K. Kovi
;
S. Majdi
;
M. Gabrysch
;
N. Suntornwipat
;
J. Isberg
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
5.
Topological States in Multi-Orbital Honeycomb Lattices of HgTe (CdTe) Quantum Dots
机译:
HgTe(CdTe)量子点的多轨道蜂窝格中的拓扑状态
作者:
W. Beugeling
;
E. Kalesaki
;
C. Delerue
;
Y.M. Niquet
;
D. Vanmaekelbergh
;
C. Morais Smith
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
6.
Enhanced Charge-Transport Behavior on PbS Nanocrystals Capped With Atomic Ligands
机译:
包覆有原子配体的PbS纳米晶体上增强的电荷传输行为
作者:
Seongwon Yoon
;
Jaeun Ha
;
Jangwhan Cho
;
Dae Sung Chung
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
7.
The effect of CoSi2 formation process on the CMOS transistor electrical properties for sub 100nm memory applications
机译:
CoSi2形成工艺对低于100nm存储器应用的CMOS晶体管电学性能的影响
作者:
J. H. Park
;
S. J. Kim
;
J. H. Lee
;
C. J. Yoo
;
H. J. Kang
;
B. C. Lee
;
J. K. Jeong
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
8.
The Intrinsic Unipolar SiO_x-based Resistive Switching Memory: Characterization, Mechanism and Applications
机译:
基于单极性SiO_x的固有电阻开关存储器:表征,机理和应用
作者:
Yao-Feng Chang
;
Burt Fowler
;
Fei Zhou
;
Jack C. Lee
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
9.
White-Light-Induced Annihilation of Percolation Paths in SiO_2 and High-k Dielectrics - Prospect for Gate Oxide Reliability Rejuvenation and Optical-Enabled Functions in CMOS Integrated Circuits
机译:
白光诱导的SiO_2和高k电介质中的渗流路径An灭-CMOS集成电路中栅极氧化物可靠性复兴和光启用功能的前景
作者:
D. S. Ang
;
T. Kawashima
;
Y. Zhou
;
K. S. Yew
;
M. K. Bera
;
H. Z. Zhang
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
10.
The Influence of Defects on the Electronic Properties of Hafnia
机译:
缺陷对Hafnia电子性能的影响
作者:
D. R. Islamov
;
V. A. Gritsenko
;
T. V. Perevalov
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
11.
Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors By Transient Capacitance Measurements
机译:
通过瞬态电容测量定量表征4H-SiC MOS电容器中近界面氧化物陷阱
作者:
Yuki Fujino
;
Koji Kita
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
12.
Negative Gate Transconductance in MIS Tunnel Diode Induced by Peripheral Minority Carrier Control Mechanism
机译:
外围少数载流子控制机制在MIS隧道二极管中产生负栅极跨导
作者:
Chien-Shun Liao
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
13.
Tunneling Current Induced Frequency Dispersion in the C-V Behavior of Ultra-thin Oxide MOS Capacitors
机译:
隧道电流引起的频率色散在超薄氧化物MOS电容器的C-V行为中
作者:
Chang-Feng Yang
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
14.
Non-Uniform Hole Current Induced Negative Capacitance Phenomenon Examined by Photo-Illumination in MOS(n)
机译:
MOS(n)中光致发光检查的非均匀空穴电流感应负电容现象
作者:
H. H. Lin
;
Y. K. Lin
;
J. G. Hwu
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
15.
Enhancement of Material Quality of (Si)GeSn Films Grown By SnCl_4 Precursor
机译:
SnCl_4前体生长的(Si)GeSn薄膜的材料质量提高
作者:
A. Mosleh
;
M. Alher
;
L. Cousar
;
H. Abu-safe
;
W. Dou
;
P. C. Grant
;
S. Al-Kabi
;
S.A. Ghetmiri
;
B. Alharthi
;
H. Tran
;
W. Du
;
M. Benamara
;
B. Li
;
M. Mortazavi
;
S.-Q. Yu
;
H. Naseem
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
16.
Non-Thermal Equilibrium Formation of Ge_(1-x)Sn_x(0≦x≦0.2) Crystals on Insulator by Pulsed Laser Annealing
机译:
脉冲激光退火在绝缘子上形成Ge_(1-x)Sn_x(0≤x≤0.2)晶体的非热平衡形成
作者:
K. Moto
;
R. Matsumura
;
H. Chikita
;
T. Sadoh
;
H. Ikenoue
;
M. Miyao
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
17.
Electrical Characterization of Dry and Wet Processed Interface Layer in Ge/High-K Devices
机译:
Ge / High-K器件中干式和湿式处理界面层的电气特性
作者:
Y. Ding
;
D. Misra
;
M. N. Bhuyian
;
K. Tapily
;
R. D. Clark
;
S. Consiglio
;
C. S. Wajda
;
G. J. Leusink
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
18.
Is the Silicene a 2D Dirac Material?
机译:
硅树脂是2D Dirac材料吗?
作者:
T. Shirasawa
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
19.
Vertical Field Effect Transistor based on Graphene/Transition Metal Dichalcogenide van der Waals Heterostructure
机译:
基于石墨烯/过渡金属二硫属化物范德华异质结构的垂直场效应晶体管
作者:
R. Moriya
;
T. Yamaguchi
;
Y. Inoue
;
Y. Sata
;
S. Morikawa
;
S. Masubuchi
;
T. Machida
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
20.
Preface
机译:
前言
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
21.
Towards a Vertical and Damage Free Post-Etch InGaAs Fin Profile: Dry Etch Processing, Sidewall Damage Assessment and Mitigation Options
机译:
迈向垂直且无损伤的InGaAs鳍片轮廓:干法蚀刻工艺,侧壁损伤评估和缓解方案
作者:
U. Peralagu
;
X. Li
;
O. Ignatova
;
Y. C. Fu
;
D. A. J. Millar
;
M. J. Steer
;
I. M. Povey
;
K. Hossain
;
M. Jain
;
T. G. Golding
;
R. Droopad
;
P. K. Hurley
;
I. G. Thayne
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
22.
Border Trap Density in Al_2O_3/InGaAs MOS: Dependence on Hydrogen Passivation and Bias Temperature Stress
机译:
Al_2O_3 / InGaAs MOS中的边界陷阱密度:取决于氢钝化和偏置温度应力
作者:
K. Tang
;
R. Droopad
;
P. C. McIntyre
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
23.
Defects and Dopants in Silicon and Germanium Nanowires
机译:
硅和锗纳米线中的缺陷和掺杂剂
作者:
M. Fanciulli
;
M. Belli
;
S. Paleari
;
A. Lamperti
;
A. Molle
;
M. Sironi
;
A. Pizio
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
24.
Utilization of a Non-ionic Surfactant in the Fabrication of Water-borne Polymeric Semiconductor Nanoparticles for High-performance, Green Organic Electronics
机译:
非离子表面活性剂在水性高分子半导体纳米粒子制备中的应用
作者:
J. Cho
;
S. Yoon
;
J. Ha
;
D. S. Chung
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
25.
Factors impacting threshold voltage in Advanced CMOS integration: gate last (FINFET) vs. gate first (FDSOI)
机译:
影响高级CMOS集成中阈值电压的因素:后栅极(FINFET)与栅极优先(FDSOI)
作者:
D.H. Triyoso
;
R. Carter
;
J. Kluth
;
S. Luning
;
A. Child
;
J.A. Wahl
;
B. Mulfinger
;
K. Punchihewa
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A. Kumar
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L. Kang
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R. Sporer
;
X. Chen
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S. Straub
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G. Bohra
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S. Patil
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X. Zhang
;
A. Chen
;
M. Togo
;
R. Pal
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
26.
Electrical Studies on Parylene-C Columnar Microfibrous Thin Films
机译:
聚对二甲苯-C柱状微纤维薄膜的电学研究
作者:
Ibrahim H. Khawaji
;
Chandraprakash Chindam
;
Wasim Orfali
;
Osama O. Awadelkarim
;
Akhlesh Lakhtakia
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
27.
Variability in FinFET SRAM Cells
机译:
FinFET SRAM单元的可变性
作者:
K. Endo
;
S. Ouchi
;
T. Matsukawa
;
Y. Liu
;
M. Masahara
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
28.
Novel Selector and 3D RRAM Development for High Density Non-Volatile Memory
机译:
用于高密度非易失性存储器的新型选择器和3D RRAM开发
作者:
Hongxin Yang
;
Chun Chia Tan
;
Wei He
;
Minghua Li
;
Yu Jiang
;
Yi Yang
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
29.
Three-Dimensional Fully-Coupled Electrical and Thermal Transport Model of Dynamic Switching in Oxide Memristors
机译:
氧化物忆阻器动态切换的三维全耦合电热传输模型
作者:
X. Gao
;
D. Mamaluy
;
P. R. Mickel
;
M. Marinella
会议名称:
《》
|
2015年
30.
The Assessment of Border Traps in High-Mobility Channel Materials
机译:
高迁移率渠道材料中边界陷阱的评估
作者:
E. Simoen
;
A. Alian
;
H. Arimura
;
D. Lin
;
H. Mertens
;
J. Mitard
;
S. Sioncke
;
W. Fang
;
J. Luo
;
C. Zhao
;
A. Mocuta
;
N. Collaert
;
A. Thean
;
C. Claeys
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
31.
Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides
机译:
非化学计量Sub低氧化物的纳米级势能波动
作者:
O. M. Orlov
;
G. Ya. Krasnikov
;
V. A. Gritsenko
;
V. N. Kruchinin
;
T. V. Perevalov
;
V. Sh. Aliev
;
D. R. Islamov
;
I. P. Prosvirin
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
32.
Physically Based Analytical Modeling of 2D Electrostatic Potential for Symmetric and Asymmetric Double Gate Junctionless Field Effect Transistors in Subthreshold Region
机译:
亚阈值区对称和非对称双栅极无结场效应晶体管的二维静电势的物理分析模型
作者:
Imtiaz Ahmed
;
Quazi D. M. Khosru
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
33.
CMOS Compatible Growth of High Quality Ge, SiGe and SiGeSn for Photonic Device Applications
机译:
用于光子器件应用的高质量Ge,SiGe和SiGeSn的CMOS兼容增长
作者:
M. Alher
;
A. Mosleh
;
L. Cousar
;
W. Dou
;
P. C. Grant
;
S.A. Ghetmiri
;
S. Al-Kabi
;
W. Du
;
M. Benamara
;
B. Li
;
M. Mortazavi
;
S.-Q. Yu
;
H. A. Naseem
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
|
2015年
34.
Effects of Ge substrate annealing in H_2 on electron mobility as well as on junction leakage in n-channel Ge MOSFETs
机译:
H_2中Ge衬底退火对电子迁移率以及n沟道Ge MOSFET结漏的影响
作者:
Akira Toriumi
;
Choong-Hyun Lee
;
Tomonon Nishimura
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
35.
Ultra-Low Temperature (~180℃) Solid-Phase Crystallization of GeSn on Insulator Triggered by Laser-Anneal Seeding
机译:
激光退火引发绝缘子上GeSn的超低温(〜180℃)固相结晶
作者:
R. Matsumura
;
K. Moto
;
Y. Kai
;
T. Sadoh
;
H. Ikenoue
;
M. Miyao
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
36.
Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy
机译:
横向液相外延法制备高质量的绝缘体上的锗结构
作者:
T. Shimura
;
Y. Suzuki
;
M. Matsue
;
K. Kajimura
;
K. Tominaga
;
T. Amamoto
;
T. Hosoi
;
H. Watanabe
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
37.
Excellent Wetting Behavior of Yttria on 2D Materials
机译:
氧化钇在二维材料上的优异润湿行为
作者:
Rafik Addou
;
Matthias Batzill
;
Robert M. Wallace
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
38.
Initial State of Graphene Growth on Ge(001) Surfaces
机译:
石墨烯在Ge(001)表面上生长的初始状态
作者:
J. Dabrowski
;
G. Lippert
;
G. Lupina
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
39.
Electronic Properties of Self-Assembled Trimesic Acid Monolayer on Graphene layers
机译:
石墨烯层上自组装三苯甲酸单层的电子性质
作者:
F. Shayeganfar
会议名称:
《Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 13》
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2015年
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