一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，包括：测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；根据最大电流Igemax在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结反偏且MOSFET的源极悬浮时，此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态，此时MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的电流Ige非常小，因此Ige对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化，同时探测范围大，经过测试可以探测到250K~400K的温度范围；另外，在进行温度测试时由于是直流测试，因此具有对器件要求较低。