nMOSFET中界面陷阱产生电流的电容效应

摘要

研究金属氧化物场效应晶体管nMOSFET中界面陷阱引发的产生电流的电容特性,基于产生效应生成的泄漏电流实验曲线提取电容曲线,发现其呈现出一正一负两个尖峰。这种现象为在积累区到耗尽区、耗尽区到反型区的两个过渡区域中陷阱产生的载流子受到栅压的控制程度最强所致。理论分析发现,正、负尖峰峰值绝对值分别为2.8×10~（-16） A·s/（m·V）和4×10~（-16） A·s/（m·V）,且负峰值的绝对值大于正峰值,该结果反映出从积累区进入到耗尽层初期时栅电压下的电容能力要强于从耗尽区进入到反型区时的电容能力。