机译:一种新型氧化物轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管,具有通过一步选择性液相沉积形成的氧化物侧壁隔离层
机译:不同LDD掺杂浓度的栅极重叠轻掺杂漏极(GOLDD)多晶硅薄膜晶体管的电学特性分析
机译:制备参数对栅极重叠轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管电稳定性的影响
机译:具有和不具有轻掺杂漏极结构的底层多晶硅薄膜晶体管的短沟道效应的实验研究
机译:自感应轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管的性能和可靠性
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管