直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究

胡明; 冯有才; 尹英哲; 陈鹏

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采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的A12O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法.经过400℃热处理,当工作温度在270℃时,对体积分数为3×10-4氢气的灵敏度达到了77,稳定性较高,选择性好,响应时间很快,在15 s以内,是一种较理想的氢敏材料.

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来源
《传感器与微系统》 |2008年第3期|46-48|共3页
作者
胡明; 冯有才; 尹英哲; 陈鹏;
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作者单位

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

金策工业大学,电子信息工程学院,朝鲜,平壤;

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212;
关键词
磁控溅射; WO3; 氢传感器; 灵敏度;

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