磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究

摘要

采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法.经过400℃热处理,当工作温度在270 ℃时,对体积分数为3×10-4℃H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15 s以内.WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。