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刘士文; 任红文;
不详;
MOCVD; GaAs; 异质结; 量子阱;
机译:在GaAs衬底上通过MOCVD外延生长的InGaAs / GaAs / AlGaAs激光器发射的波长为1190 nm
机译:具有GaAs / AlGaAs超晶格的MOCVD生长的异质结构:生长特征以及光学和传输特性
机译:叔丁基ar的980nm InGaAs / GaAs / AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构量子阱激光器的MOCVD生长
机译:通过MOCVD选择性生长n / sup +/- GaAs的i-AlGaAs / n-GaAs掺杂沟道异质结构绝缘栅FET(DC-HIGFET)
机译:金属有机气相外延法制备和表征AlGaAs / GaAs超薄膜异质结构。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:复合费米子通过mOCVD生长2 {times} 10 {sup 6} cm {sup 2} / Vs迁移率alGaas / Gaas异质结构
机译:mOCVD生长的Gaas异质结太阳能电池中alGaas / Gaas界面的正电子湮没光谱
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
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