机译:在GaAs衬底上通过MOCVD外延生长的InGaAs / GaAs / AlGaAs激光器发射的波长为1190 nm
机译:在GaAs衬底上通过MOCVD外延生长的InGaAs / GaAs / AlGaAs激光器发射的波长为1190 nm
机译:在精确且倾斜GE / Si(001)基板上的MOCVD产生的InGaAs / GaAs / Algaas激光结构的受刺激发射
机译:MOCVD在精确的Ge / Si(001)衬底上生长的单片集成InGaAs / GaAs / AlGaAs量子阱激光器
机译:通过分子束外延在恒定温度下生长的高质量GaAs / InGaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:分子束外延生长的应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs激光器用于高速调制
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构