小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)

朱晓鹏; 徐遵图; 张敬明; 马骁宇; 陈良惠

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

通过采用经过优化的新型大光腔结构 ,脊形波导 980 nm单模 In Ga As/Ga As/Al Ga As多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角 .结果表明波导中的光功率密度可以降低 ,获得了大于40 0 m W、斜率效率 0 .89W/A的输出光功率 ,垂直方向远场发散角也降低到 2

著录项

来源
《半导体学报》 |2002年第4期|342-346|共5页
作者
朱晓鹏; 徐遵图; 张敬明; 马骁宇; 陈良惠;
展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
发散角; 光腔; 单模; InGaAs/GaAs/AlGaAs; 量子阱激光器; 半导体激光器;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs 半导体激光器 [J] . 崔碧峰 ,李建军 ,邹德恕 . 物理学报 . 2004,第007期
2. 980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器 [J] . 徐遵图 ,徐俊英 . 高技术通讯 . 1996,第011期
3. MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 [J] . 徐遵图 ,杨国文 ,徐俊英 . 半导体学报：英文版 . 1999,第3期
4. 采用GaAs／AlGaAs和应变InGaAs／AlGaAs多量子阱的双色红外光探测器 [J] . 邸建华 . 发光快报 . 1993,第006期
5. 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 [J] . 俞波 ,盖红星 ,韩军 . 量子电子学报 . 2005,第1期
6. 半导体微腔中垂直场GaAs/AlGaAs多量子阱光折变特性的研究 [C] . 孙甲明 ,张燕峰 ,张满红 . 第五届全国分子束外延学术会议 . 1999
7. 大应变InGaAs/GaAs量子阱激光器和Si/AuBe/AlGaInP黏着型镜面衬底发光二极管的材料生长与器件制备研究 [A] . 潘教青 . 2003

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅