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俞波; 盖红星; 韩军; 邓军; 邢艳辉; 李建军; 廉鹏; 邹德恕; 沈光地;
北京工业大学光电子技术实验室;
光电子学; 半导体激光器; 应变量子阱; 金属有机化学气相淀积;
机译:叔丁基ar的980nm InGaAs / GaAs / AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构量子阱激光器的MOCVD生长
机译:高应变InGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器的MOCVD生长,发射1.27μm
机译:适用于WDM应用的选择性区域MOCVD的十二通道应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs掩埋异质结构量子阱激光器阵列
机译:MOCVD生长条件对增益/ GAAS / INGAAS / GAAS量子阱的光学和结构性质的影响
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:有机金属气相外延生长的应变层InGaas(p)/ Inp量子阱半导体激光器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:应变量子阱半导体激光器件及应变量子阱结构的制造方法
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