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原创性声明及关于学位论文使用授权的声明
第一章光电材料与器件概述
第一节GaP LED和AlGaAs LED
第二节半导体激光器的发明及其结构与特点
1.AlGaAs/GaAs双异质结LD
2.量子阱激光器及其特点
3.半导体激光器的材料
第三节蓝光LED和LD
第四节AlGaInP发光二极管的发展
1.AlGaInP材料生长的简要特点
2.AlGaInP高亮度发光二极管的器件发展
第五节研究内容及预期目标
1.1064nm大应变GaAs/InGaAs量子阱激光器的制备研究
2.黏着型镜面衬底AlGaInP高亮度发光二极管的制备研究
参考文献
第二章材料生长设备及测试原理
第一节MOCVD的基本原理
1.材料生长的控制原理
2.MOCVD的技术特点
3.MOCVD生长的材料体系
第二节我们应用的D180型MOCVD特点
1.主要特点
2.主要气路结构
3.MOCVD材料生长的在线监控
4.三甲基铟的在线控制
第三节测试原理
1.PL测量系统
2.X射线衍射测量系统
3.电化学C-V测量系统
参考文献
第三章1064nm大应变InGaAs/GaAs量子阱激光器的研究
第一节大应变GaAs/InGaAs量子阱激光器的提出
1.532nm全固态激光器
2.1064nm半导体激光器代替808nm半导体激光器和Nd：YAG晶体的可能性
3.GaInAs/GaAs大应变量子阱的特点
第二节大应变InGaAs/GaAs量子阱的生长与表征
1.InGaAs/GaAs量子阱的的生长条件
2.量子阱结构设计
3.结果和分析
第三节器件制备及表征
1.器件制备
2.器件表征
第四节结论及研究展望
参考文献
第四章Si/AuBe/AlGaInP黏着型镜面衬底发光二极管的研究
第一节Si/AuBe/AlGaInP黏着型镜面衬底发光二极管的提出
1.晶片键合技术及其在AlGaInP LED中的应用
2.Si/AuBe/AlGaInP黏着型镜面衬底发光二极管的结构设计
第二节AlGaInP高亮度发光二极管外延片的MOCVD生长
1.AlGaInP四元系高亮度发光二极管(HB-LED)的结构设计
2.AlGaInP LED外延片的MOCVD生长条件
3.AlGaInP LED外延片的表征
第三节普通结构发光二极管的器件制备
1.p型电极制备
2.衬底减薄
3.n型电极制备
4.芯片的分离(锯片)
第四节黏着型金属镜面衬底LED的制备流程
1.制备流程
2.实验材料
3.器件制备设备及测试仪器
第五节结果与讨论
1.器件结果
2.电流扩展对发光的影响
第六节结论和研究展望
参考文献
第五章总结
发表论文
致谢
