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吴根柱; 张子莹; 任大翠; 张兴德;
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室;
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;
微碟激光器; 多量子阱光泵; MOCVD生长; InGaAs/InGaAsP;
机译:通过在N_2环境中使用TBA和TBP进行QWIP应用的InGaAsP / InGaAs多步量子阱结构的MOCVD生长
机译:1.5μmn型InGaAsP / InGaAsP调制掺杂多量子阱DFB激光器的MOCVD
机译:在GaAs上生长InGaAsP势垒/波导层的压应变InGaAs量子阱激光器的载流子寿命
机译:使用二嵌段共聚物光刻和选择性区域MOCVD生长的图案化InGaAs / InGaAsP / InP量子点有源激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:光泵浦InGaAs / InGaAsP微盘激光器的连续室温操作
机译:长波长INGaas / InGaasp量子阱激光器在[约] 2.0微米
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
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