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李忠辉; 张宝顺; 杨进华; 张兴德; 王向武;
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室;
信息产业部电子第五十五所新材料中心;
LP-MOCVD; InGaAsP/GaAs; 量子阱激光器;
机译:在GaAs上生长InGaAsP势垒/波导层的压应变InGaAs量子阱激光器的载流子寿命
机译:高性能980 nm量子阱激光器,采用无铝InGaAs-InGaAsP有源区和通过金属有机化学气相沉积法生长的AlGaAs包层的混合材料系统
机译:GaAs(001)衬底上BGaAsSb厚层和BGaAsSb / GaAs量子阱结构的LP-MOCVD生长
机译:通过LP-MOCVD生长的高性能1.3um和1.55um InGaAsP / InP应变层量子阱激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:GaAsBi / GaAs量子阱二极管激光器中的光学增益
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有InGaAsP量子阱和GaAsP势垒层的激光器
机译:包括InGaAsP容纳层的量子阱激光器及其制造方法
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