MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究

卢励吾; 周洁; 庄婉如; 梅野正義

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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.

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来源
《半导体学报：英文版》|1992年第3期|155-161|共7页
作者
卢励吾; 周洁; 庄婉如; 梅野正義;
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作者单位

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;

中国科学院半导体研究所集成光电子学联合实验室半导体所实验区;

日本名古屋工业大学电气情报工学科;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
砷化镓; 外延生长; 量子阱; 激光器;
入库时间 2022-08-20 18:30:03

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