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GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

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摘要

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-SQW).利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10 W,峰值波长为806～809 nm.

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来源
《吉林大学学报（工学版）》|2001年第4期|63-65|共3页
作者
万春明; 徐安怀; 曲轶;
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作者单位

长春光学精密机械学院;

长春光学精密机械学院;

长春光学精密机械学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 P-N结;
关键词
半导体激光器; 列阵; 分子束外延; 量子阱;

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