The University of Texas at Dallas.;
机译:扩展波长(1.0至1.3μm)InGaAs / GaAs量子点基于GaAs的垂直腔面发射和横向腔边缘发射激光器
机译:通过结构和技术的优化提高MBE生长的AlGaAs / InGaAs / GaAs边缘发射激光器的量子效率
机译:具有深蚀刻的半导体/空气分布布拉格反射镜的边缘发射InGaAs / GaAs激光器
机译:基于IngaAs / GaAs量子阱纳米结构的1.1μm范围边缘发光激光器电源限制因子的实验研究
机译:增益导引的GaAs量子阱半导体激光器的表征
机译:激发出的InAs / GaAs量子点的光学表征该量子点发出在〜1μm处有多个峰的宽带光谱
机译:耐温快速Inxga1-XAS / GaAs量子点可饱和吸收器,用于外延集成到半导体表面发射激光器中
机译:同心圆光栅表面发射,alGaas / Gaas量子阱半导体激光器的空间模式