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单模AlGaAs／GaAs脊形波导量子阱半导体激光器

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本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱AlAsAs/GaAs脊波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能，条宽5μm器件室温阈电流23mA，线性连续输出单模激光功率大于15mW.

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来源
《激光技术》 |1996年第3期|177-181|共5页
作者
曹三松;
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作者单位

西南技术物理研究所;

成都610041;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类化学激光器;
关键词
单模半导体激光器; 单量子阱; 脊形波导; 铝镓砷化合物; 砷化镓;

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