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GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

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摘要

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW).利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806～809nm.

著录项

来源
《长春理工大学学报（自然科学版）》|2000年第3期|34-36|共3页
作者
徐安怀; 曲轶; 杨进华; 李忠辉;
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作者单位

长春光学精密机械学院国家重点实验室;

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长春光学精密机械学院国家重点实验室;

长春光学精密机械学院国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 P-N结;
关键词
半导体激光器; 列阵; 分子束外延; 量子阱;
入库时间 2023-07-25 19:11:29

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