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李沛旭; 夏伟; 李树强; 张新; 汤庆敏; 任忠祥; 徐现刚;
山东大学晶体材料重点实验室;
山东华光光电子有限公司;
量子阱激光器; 非对称结构; 金属有机化学气相外延;
机译:高性能980 nm量子阱激光器,采用无铝InGaAs-InGaAsP有源区和通过金属有机化学气相沉积法生长的AlGaAs包层的混合材料系统
机译:1.5μmn型InGaAsP / InGaAsP调制掺杂多量子阱DFB激光器的MOCVD
机译:InGaAsP / GaInP / AlGaInP 0.8μmQW激光器,采用TBP和TBA通过MOCVD进行生长
机译:GaInP / AlGaInP量子的全面锌掺杂研究MOCVD生长的大功率可见光激光器的阱结构
机译:中红外多量子阱激光器,使用数字生长的铝铟砷锑化物势垒和应变铟砷锑化物阱。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:LP-MOCVD生长的650nm AlGaInP量子阱激光二极管的高温操作
机译:通过mOCVD生长的稀氮化物II型量子阱激光器
机译:InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
机译:具有InGaAsP量子阱和GaAsP势垒层的激光器
机译:包括InGaAsP容纳层的量子阱激光器及其制造方法
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