高性能高质量InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用

摘要

高性能高质量InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明提供了InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构以GaAs/InGaAs/InGaAsP/InGaP为材料体系，采用生长中断技术，通过外延生长装置层叠生长得到的，生长中断过程中关闭V族源的As和P源，通入氢气带走反应室中残存的V族气体，生长中断时间为5～40s。该外延结构包括依次层叠的衬底、缓冲层、下势垒层、下插入层、势阱层、上插入层和上势垒层。本发明在不破坏结构，抑制InGaAsP势垒层中P原子向InGaAs势阱层扩散，减少界面粗糙度增加，获得高质量和光学性质的多量子阱外延结构。