F^+离子注入诱导应变层InGaAsP/InGaAs多量子阱结构无序的光荧光

摘要

本文研究了F^+离子注入诱导InGaAsP/InGaAs多量子阱结构,并着重研究了晶格匹配和失配应力对F^+离子注入诱导无序的影响,用变温光荧光(13～300K)方法研究了和带隙直接有关的光荧光峰值随温度变化的规律。在13K条件下,F^-离子注入具有压应力应变层的样品导致光荧光峰产生35meV的蓝移,而对具有张应力的样品,仅产生8meV的蓝移。定性地分析了产生不同程度蓝移的原因。