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王小军; 庄岩; 王玉田; 庄婉如; 王启明; 黄美纯;
厦门大学物理系;
国家光电子工艺中心;
中国科学院半导体研究所;
砷化镓铟; 砷化镓; 量子阱结构; 参数; HRDCD法; 检测;
机译:通过选择性区域MOCVD在低成分InGaAs衬底上的应变层InGaAs-GaAs-InGaP埋入异质结构量子阱激光器
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:InGaAs-AlGaAs-GaAs应变层量子阱异质结构方环激光器
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离约束异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:孔应变中的反定位和自旋轨道耦合 Gaas / InGaas / Gaas量子阱异质结构
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:具有InGaAs压缩应变量子阱有源层的半导体激光元件
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