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卢励吾; 封松林; 周洁; 杨国文; 徐俊英; 郭春伟;
半导体超晶格国家重点实验室;
中国科学院半导体研究所;
集成光电子学联合实验室半导体所实验区;
北京四通办公设备有限公司;
InGaAs; 砷化镓; 量子阱激光器; 激光器;
机译:通过选择性区域MOCVD在低成分InGaAs衬底上的应变层InGaAs-GaAs-InGaP埋入异质结构量子阱激光器
机译:高功率,单模InGaAs-GaAs-AlGaAs应变量子阱激光器,采用新的电流阻挡方案,使用MBE在低衬底温度下生长的GaAs层
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:高度紧张的IngaAs量子阱与InGaAs三元衬底上的GaAs应变补偿层1.3驴M激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:亚毫微米阈值InGaas-Gaas应变层量子阱激光器
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:应变层InP / InGaAs量子阱激光器
机译:具有InGaAs压缩应变量子阱有源层的半导体激光元件
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