机译:采用两步退火的离子注入InGaAs / InGaAsP多量子阱结构中大蓝移的量子阱混合过程
Quantum well. Implantation; Anneal. III-V compound semiconductor; Optoelectronic;
机译:采用两步退火的离子注入InGaAs / InGaAsP多量子阱结构中大蓝移的量子阱混合过程
机译:使用介电膜混合InGaAsP / InGaAsP量子阱结构
机译:使用激光混合在InGaAs-InGaAsP多量子阱结构中进行单片集成
机译:InGaAs / InGaAsP异质结构中被动和主动集成的两阶段激光诱导混合过程
机译:λ= 1.55微米铟磷化铟镓/磷化铟激光结构中的介电增强量子阱混合。
机译:通过TM模式腔进行平移预氧化的两步微波退火工艺
机译:通过InGaas-InGaasp量子阱结构的选择性混合来集成波导型波长解复用光电探测器
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振