用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合

摘要

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激光器结构，在700oC下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。