机译:离子注入对注入磷的InGaAsP / InGaAs / InP中量子阱混合的影响
Centre de Recherche en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1;
机译:带隙位移的InGaAs / InGaAsP / InP微结构经紫外激光量子阱混合处理后增强了光致发光发射
机译:使用氧化钛表面应力源引起力点缺陷扩散,增强InP / InGaAs / InGaAsP异质结构上的量子阱混合
机译:压缩应变的InGaAsP / InGaAsP量子阱激光器结构中以1.55μm发射的量子阱混合过程的光反射研究
机译:ingaAsp / Ingaas / InP和Inalgaas / Ingaas / InP量子阱中晶体和砷植入诱导诱导的质子和砷植入植入的比较
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:利用氧化钛表面应力引发强迫点缺陷扩散,增强Inp / InGaas / InGaasp异质结上的量子阱混合
机译:通过量子阱混合的宽谱InGaas / Inp量子阱红外光电探测器